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等离子聚焦离子束PFIB

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等离子聚焦离子束PFIB

概要:PFIB使用Xe氙作为离子源，Xe源电流2500nA，在离子材料去除上有更高的速率。双束PFIB配备SEM实时成像，用于1000微米以内大尺寸切片，芯片局部去层可配合NanoProbe。
概要:PFIB使用Xe氙作为离子源，Xe源电流2500nA，在离子材料去除上有更高的速率。双束PFIB配备SEM实时成像，用于1000微米以内大尺寸切片，芯片局部去层可配合NanoProbe。
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　　1、项目定义：

　　PFIB使用Xe氙作为离子源，Xe源电流2500nA，在离子材料去除上有更高的速率。双束PFIB配备SEM实时成像，用于1000微米以内大尺寸切片，芯片局部去层可配合Nano Probe。

 

　　2、应用优势：

　　由于其离子电流比Ga高38倍，适用于SEM定位大尺寸的切割，芯片热点位置可进行定点去层，大尺寸样品可以边切边观察，便于江南电竞网页版JN江南·(中国区)体育官方网站，配合Nano Probe、CAFM、EBSD制备，可以解决客户3D防撞TSV定点截面江南电竞网页版、MEMS结构无形截面江南电竞网页版、光芯片光路截面江南电竞网页版、失效孤品去层江南电竞网页版的需求。

 

 

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