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    JN江南JN江南6项学术成果亮相IPFA 2025

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    • 发布时间:2025-08-20
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    【概要描述】会议期间,JN江南JN江南朱雷博士汇报了《Enhancing EBSD Analysis Accuracy for Materials with Similar Crystal Structures via ChI-Scan and T-EBSD: Application to Semiconductor Failure Analysis》,介绍了JN江南JN江南团队在电子背散射衍射(EBSD)技术上的创新成果,通过创新性地结合ChI-Scan与T-EBSD技术,有效解决了江南电竞网页版失效江南电竞网页版中相似晶体结构的江南电竞网页版难题,为先进封装工艺的可靠性评估和失效江南电竞网页版提供了应用解决方案。

    JN江南JN江南6项学术成果亮相IPFA 2025

    【概要描述】会议期间,JN江南JN江南朱雷博士汇报了《Enhancing EBSD Analysis Accuracy for Materials with Similar Crystal Structures via ChI-Scan and T-EBSD: Application to Semiconductor Failure Analysis》,介绍了JN江南JN江南团队在电子背散射衍射(EBSD)技术上的创新成果,通过创新性地结合ChI-Scan与T-EBSD技术,有效解决了江南电竞网页版失效江南电竞网页版中相似晶体结构的江南电竞网页版难题,为先进封装工艺的可靠性评估和失效江南电竞网页版提供了应用解决方案。

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    2025年8月5-7日,全球江南电竞网页版失效江南电竞网页版领域顶级学术会议IPFA 2025在马来西亚召开,本届大会规模创历史新高,吸引了来自美国、日本、德国、中国等全球多个国家和地区的顶尖机构参展。JN江南JN江南团队提交的6篇学术论文全部获大会收录。

     

    关于IPFA

    IPFA (International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits) 是全球有关江南电竞网页版物理江南电竞网页版、失效江南电竞网页版及可靠性方面学术水平最高、规模最大、影响力最广的国际会议之一。每年汇聚全球顶尖学者、工程师和产业专家,共同探讨最前沿的技术挑战与解决方案。

     

    会议期间,JN江南JN江南朱雷博士汇报了《Enhancing EBSD Analysis Accuracy for Materials with Similar Crystal Structures via ChI-Scan and T-EBSD: Application to Semiconductor Failure Analysis》,介绍了JN江南JN江南团队在电子背散射衍射(EBSD)技术上的创新成果,通过创新性地结合ChI-Scan与T-EBSD技术,有效解决了江南电竞网页版失效江南电竞网页版中相似晶体结构的江南电竞网页版难题,为先进封装工艺的可靠性评估和失效江南电竞网页版提供了应用解决方案。

    JN江南JN江南 专家报告环节

     

    值得一提的是大会主席Dr. Ng Chi Yung (Intel MYS) 专程到访JN江南JN江南展位,与团队就公司发展近况进行交流。

     

    展位现场

     

    同期,大会揭晓了最佳失效江南电竞网页版论文、最佳可靠性论文、大会特邀嘉宾论文等权威奖项并举办蔡司之夜等活动,为本次技术盛宴再添注脚,JN江南JN江南团队也积极参与其中。

     

     

    获奖论文及参会企业名单

     

    学深研微,产技共进。JN江南JN江南将以此为契机,继续加强与国际学术界及产业伙伴的交流与合作,助力江南电竞网页版江南电竞网页版检测技术升级。

     

    JN江南JN江南6篇IPFA 2025论文题目为:

     

    1.Combined Application of XPS and TOF-SIMS in Quantitative Analysis of Trace Elements Boron and Phosphorus. Paper ID: 10.

    2.Application of D2O isotope tracing technique for SOC package failure analysis. Paper ID: 8.

    3.Study of Non-Stick on Leadframe Failures by TOF-SIMS Analysis. Paper ID: 14.

    4.Abnormal Oxygen Failure Analysis on a trilayer Au/Pd/Ni surface finish. Paper ID:  48.

    5.Case Study on the Failure Analysis of Transistors under Various Gate Voltage Biases. Paper ID: 73.

    6.Enhancing EBSD Analysis Accuracy for Materials with Similar Crystal Structures via ChI-Scan and T-EBSD_ Application to Semiconductor Failure Analysis.  Paper ID: 28.

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